三星电子公司,它开发出业界第一款DDR4存储模块,采用了30nm工艺技术,它已经向控制器制造商提供了1.2V 2GB DDR4 UDIMM样品进行测试。 新的存储模块能将能耗减少一半。,凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。根据此前的规划,DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz,电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。
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三星电子公司,它开发出业界第一款DDR4存储模块,采用了30nm工艺技术,它已经向控制器制造商提供了1.2V 2GB DDR4 UDIMM样品进行测试。 新的存储模块能将能耗减少一半。,凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。根据此前的规划,DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz,电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。
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